热插拔电路关键用于高可用性系统，例如数据 中心 和电信基础设备。在高可用性系统中驳回热插拔电路时，即使须要改换或参与组件以维持系统运转，系统也不会终止运转。
关于电信服务器运行而言，高功率和高冗余至关关键，此时就须要热插拔 控制器 来调控浪涌 电流 。在电信服务器运行中，背板终端电压干流为48V和12V。在典型的12V背板系统中，由冗余 电源 组成，每个电源经过ing与并联的热插拔模块相连。MOSFET在热插拔运行中表演着外围角色； 本文将依据 公司 的12VM1278热插拔电路评价MOSFET的行为。
图1显示热插拔环节中通常会发生较大的瞬态电流（可达数百安培），用于给输入 电容 充电，这就要求MOSFET在线性上班形式下具有弱小的SOA才干。
图｜多模块电信服务器热插拔运行
当热插拔模块（如图2所示）拔出12V背板时，控制器的GATE引脚会向MOSFET的栅极以及外部的Rgate和Cgate提供恒定的24uA电流Ig。一旦GATE电压到达MOSFET的 阈值电压 VT，由于GATE引脚与Vout节点之间的Cgs电压将坚持不变,Ig仅会对外部的Cgate和MOSFET外部的Cs启动充电。这与 开关电源 中MOSFET的密勒平台效应相似。
图｜热插拔 电路原理 图
输入电容CL所惹起的浪涌电流Iin可由下列方程（1、2）示意：其中'n'代表并联的MOSFET数量。
与偏差于低Qgd的开关电源运行不同，在热插拔运行中，较大的Qgd有助于减小浪涌电流。另一方面，浪涌电流还取决于并联MOSFET的数量、输入电容CL的值以及负载电流。并联MOSFET越少，输入电容越大，则MOSFET接受的浪涌电流应力越大。以下是不同状况下AOS热插拔评价板上的测试波形。图3a显示，较大的CL会造成更大的浪涌电流（绿色曲线），而图3b则标明，并联MOSFET数量的参与会缩小总浪涌电流（绿色曲线）。
图3a｜空载及不同输入CL下的启动波形对比
图3b｜空载、相反CL 50μF、不同并联数MOSFET的启动波形对比
电信-主机热插拔运行通常触及较大 供电 电流；因此，低Rdson的MOSFET是最优选用。为了确保系统在启动和短路条件下的持重性，MOSFET在线性上班形式下接受高电压和电流应力时，须要有较大的安保上班区（SOA）。
图4显示，由于相对较大的Crss，AONS32310的浪涌电流低于竞品。这无利于放宽系统对浪涌电流的限度设置，而较低的Rdson象征着更高的全体效率。即使输入电容值和输入电压参与，AONS32310仍能反常上班，而同类竞品则无法上班。
图 4｜空载、相反CL 70μF的启动波形对比
图5重现了一种最顽劣状况：MOSFET处于导通形态且温度到达100°C的热平衡点。此时，热插拔控制器会启动复位，从新开启MOSFET，而MOSFET处于较高温度（100°C）。
图5｜在100°C暗室中相反50μF CL的空载启动波形对比
这些最顽劣条件测试结果标明了：与竞品相比，AOS的MOSFET在热插拔运行中愈加持重牢靠。由于MOSFET上耗散的能量简直等于输入CL中贮存的能量，AOS倡导经常使用上方方程来评价SOA才干的持重性。
另一方面，假设驳回相反的浪涌电流限度，AONS32100将体现出与竞品C简直相反的启动波形，但需调整外部的Cgate和Rgate。在热插拔运行中，Ciss不会影响线性形式下的栅极电压。MOSFET已齐全导通，栅极电压的最小提早不会影响系统的效率和性能。
即使是顶级MOSFET也无法接受缺点条件，比如几秒钟的输入短路。因此，热插拔控制器须要经过 检测 电流和电压应力来尽快关断MOSFET。Devices的ADM1278具有过流和过功率包全性能。在过功率状况下，控制器不会关断MOSFET，直至缺点 定时器 电压到达1V的缺点阈值。该定时器可依据MOSFET的SOA设定，让设计人员能够灵敏选用合乎系统需求的MOSFET，并防止在启动和瞬态时期不用要的关断。图6展现了一系列基于AOS评价板的OCP和OPP事情。从波形可以看出，在最坏状况下，AONS32100在线性上班形式下可以接受42A / 9V超越20ms的短路缺点。
图6｜短路条件及包全
目前，为满足社会开展日益增长的数据处置需求和 网络通讯 的稳如泰山性要求，数据中心、电信基础设备和存储系统主机正朝着更高功率密度、更高效率、增强冗余和容错才干和安保性等方向开展。热插拔技术关于坚持主机的继续运转和缩小停机时期至关关键，尤其是在须要24/7不连续服务的环境中。关于即使在最顽劣状况下也要确保高可用性的热插拔运行，选用持重的MOSFET至关关键。高SOA和低Rdson有助于提高效率，增强系统的鲁棒性。
针对主机48V输入电压的热插拔缓和启动的运行需求，AOS 特意优化了MOSFET的 电气 性能及封装，行将正式推出TOLL封装的处置打算-AOTL66935，其具有高度强健的线性形式区SOA才干，以及1.9mΩ Rds(on)_max的低导通电阻，可缩小功率损耗和散热需求，合乎日益严厉的能效规范; 同时TOLL 封装也能够进一步优化散热性能，有更高的牢靠性，耐用性强，适宜长时期运转在主机环境中。