SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物 半导体 材料。表 1-1 列出了各种半导体材料的 电气 特征，SiC 的优点不 仅在于其绝缘击穿场强（Breakdown Field）是 Si 的 10 倍，带隙（Energy Gap）是 Si 的 3 倍，而且在器件制造时可以在较宽的范 围内实现必要的 P 型、N 型控制，所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各种多型体（结晶多系）， 它们的物性值也各不相同。最适合于制造功率器件的是 4H-SiC，现在 4inch～6inch 的单晶晶圆已经实现了量产。
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