碳化硅晶体的生长原理
碳化硅晶体的生长原理在自然界中,晶体不胜枚举,其分布及应用都十分广泛,例如日常生活中随处可见的盐、糖、钻石、雪花都是晶体;此外,半导体晶体、激光晶体、闪烁晶体、超硬晶体等晶体材料在工业、医疗、半导体及众多科研领域也发挥着重要的作用,不同晶体......
市场加速渗透 把SiC价格打下来!两年内拟降30%
网报道,文,黄山明,作为第三代半导体,SiC,碳化硅,相比传统硅在高耐压厚度、功率损耗、系统效率等方面具有显著优势,依靠这些优势,SiC在新能源汽车、工业、风光储能等领域大放异彩,但在过去,SiC的晶体生长速度慢、良率低,导致生产成本较高,......
SiC功率器件・模块应用笔记
SiC,碳化硅,是一种由硅,Si,和碳,C,构成的化合物半导体材料,表1,1列出了各种半导体材料的电气特征,SiC的优点不仅在于其绝缘击穿场强,BreakdownField,是Si的10倍,带隙,EnergyGap,是Si的3倍,而且在器件......
SiC FET在ZVS软开关技术应用中的卓越表现 Qorvo
从石器时代到信息时代,人类对高效率的追求从未停止,如今,随着人工智能、电动汽车和可再生能源系统等前沿科技的蓬勃发展,电力电子设备面临的挑战与日俱增,开关损耗一直是影响电力电子设备性能的关键因素之一,也成了人们对高效率追求路上的拦路虎,面对这......
1200V eSiC Master MOSFET Power 半导体推出第二代
1200VeSiCMOSFET为系统提供了显著的优势,包括功率密度增加、效率提高、冷却要求降低,这是由于其功率损耗显著降低所致,SiCMOSFET越来越受欢迎,尤其是对于需要更高功率密度、效率和弹性的可再生能源系统和电动汽车充电系统,.........
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