碳化硅MOSFET的开关尖峰问题与TVS保护方案

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在电力电子领域,碳化硅,SiC,因其高效率、高频率和高温性能而备受青睐,然而,即使性能卓越,SiCMOSFET在开关过程中也可能面临电压尖峰的问题,本文将从专业硬件工程师的角度,探讨SiCMOSFET的开关尖峰问题,并介绍使用瞬态电压抑制二......
如何正确选用SCR架构TVS以避免闩锁效应

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AMAZING晶焱科技如何正确选用SCR架构以避免闩锁效应现今先进制程的进步对于晶片中高速介面的影响与日俱增,由于制程微缩使得晶片对于,EOS的耐受力下降以致于更容易受到外在突波损伤,研发足以面对这种威胁的保护元件益发成为IC设计工程师的挑......
TVS二极管的选型计算 Littelfuse

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说起Littelfuse二极管,可谓历史悠久,是Littelfuse最具特色与核心价值产品之一,目前出货量排名全球首位,LittelfuseTVS二极管家族十分庞大,覆盖小功率到大功率的产品,用于保护半导体器件免受高电压瞬变损害,广泛应用于......